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4H N型
SiCウェーハ
4H n-Type
トップ > 4H N型 SiCウェーハ
4H N型 SiCウェーハは、導電型の単結晶炭化ケイ素基板です
ホモエピタキシー用基板として使用されており
転移欠陥の改善や高い清浄度、高精度の加工技術を日々追求しています
直径150mmの量産体制を拡充しており、直径200mmの開発を進めています
*製品の詳細については下記よりお問い合せください。
> お問い合せ
基本仕様
N型
ポリタイプ
4H
直径(mm)
150
オフ角(°)
4
厚み(μm)
350
表面
Epi-ready
電力用パワーデバイス
N型 SiCウェーハは、SBD、MOSFETなど数多くのパワーデバイスに採用されております。その高熱伝導率、バンドギャップ、化学的安定性、高強度、低損失、高破壊電界などの特性は、今後より多くのパワーデバイスに応用されるものと期待されています。
高亮度LED
碳化硅与氮化镓的热失配和晶格失配小,外延层质量好,并且碳化硅具有良好的导热和导电能力,在大功率LED方面具有非常大的优势,采用碳化硅作为衬底的LED亮度高、能耗低、寿命长。
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