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製品情報

4H 半絶縁型

SiCウェーハ

4H Semi-Insulating

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半絶縁型SiCウェーハは、ワイドギャップ半導体材料であり、
且つ高周波動作に対応することが出来る材料です。
パワーデバイス領域と同様にその優れた物理特性が高周波デバイスにおいても有用であり、
５G通信技術等の発展に大きな役割が期待されています。

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基本仕様

半絶縁型
  • ポリタイプ 4H
  • 直径（mm） 100 & 150
  • オフ角（°） 0
  • 厚み（μm） 500
  • 表面 Epi-ready

高周波(RF)デバイス

半絶縁型SiCウェハーは、ワイドギャップ半導体材料であり、且つ高周波動作に対応することが出来る材料です。パワーデバイス領域と同様にその優れた物理特性が高周波デバイスにおいても有用であり、５G通信技術等の発展に大きな役割が期待されています。
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